Выяснено, что дефектный графен имеет большую электрокаталитическую активность

❋ 4.5

Ученые из лаборатории суперкомпьютерных методов в физике конденсированного состояния МФТИ, Сколтеха и Объединенного института высоких температур РАН теоретически исследовали влияние дефектов в графене на перенос электронов на границе фаз графен-раствор. Расчеты показывают, что создание дефектов способно увеличить скорость переноса заряда на порядок. Причем варьируя тип дефекта можно селективно катализировать перенос электрона на определенный класс реагентов в растворе. Это свойство может очень пригодиться при создании чувствительных электрохимических сенсоров и электрокатализаторов.

ФизТех

# графен

# катализаторы

# МФТИ

# электрокаталитическая активность

Дефектный графен / ©Дарья Сокол / Пресс-служба МФТИ / Автор: Ptolemocratia Acerronius

Результаты опубликованы в журнале Electrochimica Acta. Углерод широко используется в электрохимии. Графен, как новый тип углеродных электродов, имеет большой потенциал для применения в биосенсорах, солнечных элементах и химических источниках токах. Например, химически модифицированный графен может использоваться в качестве дешевого и эффективного аналога платиновых или иридиевых катализаторов в топливных элементах и металл-воздушных батареях.

Электрохимические свойства графена сильно зависят от его химической структуры и электронных свойств, которые оказывают существенное влияние на кинетику окислительно-восстановительных процессов. Интерес к исследованию кинетики гетерогенного переноса электрона на поверхности графена в последнее время подогрет новыми экспериментальными данными, показывающими возможность ускорения переноса на структурных дефектах, таких, как вакансии, графеновые края, примесные гетероатомы, кислородсодержащие функциональные группы.

Сравнение электронных свойств бездефектного графена (a, f) и графена, содержащего вакансию (c, h). Возникновение локальных электронных состояний вблизи уровня ферми во втором случае катализирует неадиабатический гетерогенный перенос электрона / ©Пресс-служба МФТИ

В данной работе ученые теоретически исследовали кинетику переноса электрона на поверхности графена, содержащего различные дефекты: одиночная и двойная вакансии, дефект Стоуна-Уэйльса, примесный атом азота, -O- и -OH группы. Все эти изменения значительно влияли на константу скорости переноса. Наиболее выраженный эффект наблюдался для одиночной вакансии, для которой было предсказано ускорение переноса на порядок относительно бездефектного графена.

Такое увеличение должно наблюдаться только для окислительно-восстановительных процессов со стандартным потенциалом от -0,2 В до 0,3 В (относительно стандартного водородного электрода). Расчет также показали, что из-за низкой квантовой емкости графенового листа кинетикой переноса электрона можно управлять, изменяя емкость двойного слоя.

«В наших расчетах мы попытались установить взаимосвязь между кинетикой гетерогенного переноса электрона и изменениями электронных свойств графена, вызванными дефектами. Оказалось, что привнесение дефектов в идеальный графеновый лист может приводить к росту плотности электронных состояний вблизи уровня ферми и катализировать перенос электрона.

Скорость передачи электронов в недефектном и дефектном графене / ©www.sciencedirect.com

При этом различные дефекты по-разному меняют плотность электронных состояний в различных энергетических областях, что создает предпосылки для реализации селективного электрохимического катализа.

Мы полагаем, что эти эффекты могут быть полезны для применения в электрохимических сенсорах, а развиваемый нами теоретический аппарат – для направленного химического дизайна новых материалов для электрохимических приложений», — дополняет Сергей Кисленко, доцент кафедры физики высокотемпературных процессов МФТИ. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований.

Нашли опечатку? Выделите фрагмент и нажмите Ctrl + Enter.

Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), известен также как Физтех — ведущий российский вуз по подготовке специалистов в области теоретической, экспериментальной и прикладной физики, математики, информатики, химии, биологии и смежных дисциплин. Расположен в городе Долгопрудном Московской области, отдельные корпуса и факультеты находятся в Жуковском и в Москве.