#полупроводники

Ученым НИФТИ ННГУ удалось вырастить полупроводниковые наноструктуры с эффектом спиновой памяти – плотной и энергонезависимой магнитной памяти, базирующейся на квантовых технологиях. Физики и технологи создали структуру из сверхтонкого слоя магнитных атомов марганца, который находится в нескольких нанометрах от полупроводниковой квантовой ямы с арсенидом галлия, а еще продемонстрировали запись и считывание информации с помощью импульсов поляризованного света.

Эффект, благодаря которому возможна запись информации в кремниевом кольцевом микрорезонаторе с помощью импульсов света разной интенсивности, впервые описан учеными ЛЭТИ. Он открывает большие возможности по созданию быстродействующих модулей памяти для оптических компьютеров будущего.

Исследователи Сколтеха и их коллеги из США и Сингапура создали нейронную сеть, с помощью которой можно настраивать свойства полупроводниковых кристаллов и получать компоненты для электроники с непревзойденными характеристиками. Эта работа открывает новое направление в разработке микросхем и солнечных элементов следующего поколения за счет использования контролируемой деформации, с помощью которой можно буквально «на лету» менять свойства материала.

Ученые Сколтеха и Мюнхенского университета Людвига-Максимилиана (LMU) в Германии исследовали фундаментальные свойства нанокристаллов галогенидных перовскитов, имеющих перспективы применения в качестве нового класса материалов для оптоэлектроники. Выполнив комплекс теоретических и экспериментальных исследований, ученые показали и обосновали наличие сложных взаимосвязей между составом материала, динамикой изменения его кристаллической решетки под воздействием света и стабильностью материала.

Запоминающие устройства на основе переключения сопротивления обладают значительными преимуществами перед используемыми сегодня элементами памяти. Сотрудники лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ совместно с коллегами из Кореи изучили влияние дефектов поверхности одного из электродов на свойства ячейки резистивной памяти. Оказалось, что при увеличении толщины электрода шероховатость его поверхности резко возрастает, а параметры ячейки памяти заметно улучшаются.

Коллектив ученых ЮФУ впервые выявил эффект аномального поведения атомов вещества, осаждаемых на поверхность полупроводниковых подложек в присутствии атомов алюминия в условиях капельной эпитаксии. Это открывает путь к новым перспективным исследованиям наноструктурных веществ и позволяет продвинуться в области технологии создания устройств квантовой связи, которую практически невозможно взломать, и квантовых компьютеров, обладающих огромной вычислительной мощностью по сравнению с обычными компьютерами.

Исследователи Сибирского федерального университета (СФУ) совместно с украинскими и шведскими коллегами предложили новый класс наноструктур на основе тетратио- и тетраселено[8]циркуленов – плоских гетероциклических молекул. Материалы имеют гибко варьируемые полупроводниковые свойства и могут использоваться для производства органических светодиодов.

Исследователи из Института химии ТюмГУ совместно с коллегами из Уральского государственного университета, Федерального исследовательского центра и Сибирского федерального университета изучили структуру и свойства впервые синтезированного сложного сульфида EuErCuS3.

Ученые НИТУ «МИСиС» совместно с коллегами из США нашли способ значительно уменьшить размер проводящих (транзисторных) элементов для электронных устройств, что позволит увеличить их производительность. Для этого в качестве исходного материала вместо кремния предлагается использовать титан, цирконий и серу.

Исследователи из МФТИ обнаружили, что суперинжекция возможна и в гомоструктурах. Это открывает принципиально новые возможности в создании световых источников.

Группа исследователей из Университета Миннесоты впервые напечатала на 3D-принтере решетку фоторецепторов на полусферической подложке. В будущем технология позволит создавать с помощью 3D-печати бионические глаза, функционально аналогичные человеческим.

Энергия ионизации этих атомов ниже, чем у щелочных металлов.