Инженеры из Южной Кореи создали рабочий прототип флеш-памяти типа NAND на основе гибкой интегральной схемы с большой степенью интеграции (LSI). Об этом сообщается в журнале Advanced Materials.
В основу работы легли результаты исследования по производству LSI методом непрерывной рулонной печати. В 2013 году группа ученых из Корейского института передовых технологий показала способ изготовления таких схем на базе кремния. С помощью CMOS авторы создали гибкие LSI для биомедицинских беспроводных коммуникаций. Конструкция позволяла интегрировать их с поверхностью человеческих органов. Однако до сих пор методика не была реализована в рамках создания гибких дисплеев и других периферийных устройств.
Теперь ученые перенесли технологию на флеш-память NAND — один из основных типов современных цифровых носителей. Флеш-память изготавливалась на кремниевой подложке путем CMOS, после чего ее нижний слой подвергался влажному химическому травлению. Достигнув толщины подложки в 100 нанометров, авторы соединяли ее с гибкой подложкой методом рулонной печати с использованием анизотропной токопроводящей пленки. Созданный накопитель демонстрировал стабильную работу, в том числе при значительной деформации.
«Надежность нашей гибкой NAND-памяти подтвердила процедура программирования и чтения ACSII символов. Наши результаты могут открыть новые возможности для интеграции LSIs с кремниевыми подложками», — сообщил профессор Кеон Дже Ли. Он также добавил, что технология подобных интегральных схем является ключевым элементом компьютеров будущего, в частности при изготовлении гибких центральных процессоров для носимой или стационарной электроники.
