Создана гибкая электроника, которая внутри тела становится мягкой
Жёсткие при комнатной температуре транзисторы, представленные учеными из Техасского университета и Токийского университета, внутри организма становятся мягкими.
Группа исследователей из Техасского университета (University of Texas at Dallas) и Токийского университета (University of Tokyo) предложила новый вариант имплантируемой электроники. Речь идет о транзисторах, которые при комнатной температуре жесткие, а оказываясь внутри организма – становятся мягкими. Это позволит хирургам легко имплантировать устройство, которое оборачивает большие объекты внутри тела и не мешает их естественному функционированию.
Ранее врачи уже пытались устанавливать электронику в живом организме, но одной из проблем была её жёсткость, что совершенно не совместимо с биологической тканью.
– Джонатан Ридер (Jonathan Reeder), один из исследователей
Вальтеро Войт, еще один участник проекта, разработал «запоминающие полимеры» (memory polymers), при помощи которых исследователи и смогли добиться необходимой гибкости и мягкости. Также была использована гибкая фольга, созданная Ридером, которая помогла в построении микросхем.
Достижением также стал сам метод создания транзистора на органической основе, представляющий собой адаптированный вариант технологии производства кремниевой электроники.
Во время испытаний транзистора авторы исследования обернули его вокруг цилиндра диаметром 2,25 миллиметра. Также устройство имплантировали в организм крысы. Все свойства транзистора после операции были сохранены.
Новая адаптивная электроника меняет свои механические свойства в зависимости от температуры
©Jonathan Reeder et al.
В настоящее время ученые намерены уменьшить размер транзистора. Они хотят, чтобы устройство облегало, скажем, кровеносные сосуды или даже нервы. Также исследователи планируют добавить новые сенсорные элементы.
Ученые верят, что гибкие транзисторы, адаптирующиеся в человеческом теле, в будущем позволят детально исследовать все, что происходит в организме.
Telegram 
Дзен 
VK 
