#транзисторы

Исследователи из компании IBM собираются уменьшить размер транзисторов в два раза.

Исследователи из Висконсинского университета в Мэдисоне разработали первые транзисторы на углеродных нанотрубках, которые оказались намного эффективнее, чем лучшие кремниевые транзисторы, представленные на рынке.

Физики из Кембриджского университета разработали поляритонный переключатель, позволяющий управлять спином конденсата Бозе — Эйнштейна в рамках создания более производительных и компактных транзисторов. Об этом пишет Nature Materials.

В современной электронике сигналы обрабатываются последовательно: их носитель — электрический заряд — перемещается в полупроводнике и затем с помощью света передается в оптоволокно. Такое преобразование представляется неэффективным в связи с низкой скоростью. При этом, по закону Мура, число транзисторов на одном чипе в последние 50 лет удваивается каждые два года и требует все более мощных...

Американские физики создали на базе титаната стронция и титаната неодима высокопроводящий материал, который может использоваться в силовых транзисторах. Результаты исследования опубликованы в APL Materials.

Ученые проанализировали движение частиц в двумерном электронном газе (ДЭГ), который был создан на границе двух изоляторов — титаната стронция (STO) и титаната неодима (NTO) — со сверхвысокой плотностью электронов. Терагерцовая спектроскопия показала, что при плотности электронов около 1015 на квадратный сантиметр общий уровень проводимости материалов в 3–6 раз превысил показатель, характерный для кремния. Замеры осуществлялись...

Американские инженеры разработали технологию изготовления полевых транзисторов модифицированным методом FinFET с заключением полупроводника в строго вертикальной гладкой оболочке. Результаты исследования опубликованы в журнале Electron Device Letters.

FinFET — технология производства транзисторов путем бомбардировки полупроводниковой пластины высокоэнергетическими ионами. Результатом FinFET является трехмерное устройство с заключенными в вертикальную оболочку полупроводниками — так называемыми «плавниками». Методика является альтернативой вырезанию матриц из утолщенных пластин и послойной укладке полупроводников и потенциально позволяет повысить производительность вычислительных машин.   Применение FinFET ограничено несовершенством создаваемых на чипе «плавников». Относительно...

Ученые из Гарвардского университета (США) разработали технологию создания каркасов из наноэлектронных структур для мониторинга сердечной деятельности в постоперационный период. Об этом пишет Nature Nanotechnology.