#транзисторы

Исследователи из компании IBM собираются уменьшить размер транзисторов в два раза.

«Графеновый бум» стартовал в 2004 году с выходом статьи Константина Новоселова и Андрея Гейма. На сегодняшний день графену посвящено более 10 тыс. публикаций и более тысячи патентов.

Исследователи из Висконсинского университета в Мэдисоне разработали первые транзисторы на углеродных нанотрубках, которые оказались намного эффективнее, чем лучшие кремниевые транзисторы, представленные на рынке.

Физики из Кембриджского университета разработали поляритонный переключатель, позволяющий управлять спином конденсата Бозе — Эйнштейна в рамках создания более производительных и компактных транзисторов. Об этом пишет Nature Materials.

В современной электронике сигналы обрабатываются последовательно: их носитель — электрический заряд — перемещается в полупроводнике и затем с помощью света передается в оптоволокно. Такое преобразование представляется неэффективным в связи с низкой скоростью. При этом, по закону Мура, число транзисторов на одном чипе в последние 50 лет удваивается каждые два года и требует все более мощных...

Ученые проанализировали движение частиц в двумерном электронном газе (ДЭГ), который был создан на границе двух изоляторов — титаната стронция (STO) и титаната неодима (NTO) — со сверхвысокой плотностью электронов. Терагерцовая спектроскопия показала, что при плотности электронов около 1015 на квадратный сантиметр общий уровень проводимости материалов в 3–6 раз превысил показатель, характерный для кремния. Замеры осуществлялись...

Американские физики создали на базе титаната стронция и титаната неодима высокопроводящий материал, который может использоваться в силовых транзисторах. Результаты исследования опубликованы в APL Materials.

FinFET — технология производства транзисторов путем бомбардировки полупроводниковой пластины высокоэнергетическими ионами. Результатом FinFET является трехмерное устройство с заключенными в вертикальную оболочку полупроводниками — так называемыми «плавниками». Методика является альтернативой вырезанию матриц из утолщенных пластин и послойной укладке полупроводников и потенциально позволяет повысить производительность вычислительных машин.   Применение FinFET ограничено несовершенством создаваемых на чипе «плавников». Относительно...

Американские инженеры разработали технологию изготовления полевых транзисторов модифицированным методом FinFET с заключением полупроводника в строго вертикальной гладкой оболочке. Результаты исследования опубликованы в журнале Electron Device Letters.