#транзисторы

Сотрудники лаборатории полупроводниковых оксидных материалов МФТИ с коллегами создали материалы на основе полупроводника — сложного оксида индия, галлия и цинка. Поиск реагентов для низкотемпературного синтеза показал, что использование глицерина и нагрев до 500 градусов Цельсия обеспечивает формирование частиц этого материала размером не более 30 нанометров. Результаты работы открывают возможности повышения доступности технологий 3D-печати транзисторов благодаря снижению энергозатрат.

Исследователи из МФТИ и Пекинского технологического института сделали значительный шаг вперед в области сегнетоэлектрических материалов. Они разработали новый метод создания ультратонких пленок с исключительными свойствами. Эта работа прокладывает путь к разработке миниатюрных электронных устройств нового поколения.

Физики из МФТИ и Российского квантового центра разработали логический элемент, основанный на взаимодействии спиновых волн, которые возбуждались лазерными импульсами. Представленный подход существенно отличается от классических методов, основанных на использовании транзисторов и диодов.

Ученые Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ с коллегами из других вузов и научных институтов изучили оптические свойства двумерных соединений серы с платиной и оловом. Исследованные материалы имеют высокий показатель преломления, который позволяет создавать на их основе ультратонкие линзы, биосенсоры, транзисторы, фотодетекторы и сверхчувствительные приемники, а гигантская анизотропия соединений платины — преодолеть дифракционный предел.

Переключения магнетиков между спиновыми состояниями могут передавать логический сигнал, и этим процессом можно заменить перенос электронов в современных процессорах. Ученым из МФТИ и их коллегам из Института элементоорганических соединений имени А. Н. Несмеянова и Испании впервые удалось зарегистрировать специфический переход соединения железа между состояниями. Это поможет разработать процессоры и устройства памяти с большим отношением производительности к количеству потребляемой энергии.

Физики Московского физико-технического института с коллегами из Московского педагогического государственного университета и университета Манчестера создали высокочувствительный детектор терагерцового излучения на основе туннельного эффекта в графене. Чувствительность устройства уже превосходит коммерчески доступные аналоги на основе полупроводников и сверхпроводников, что открывает перспективы приложений графенового детектора в беспроводных коммуникациях, системах безопасности, радиоастрономии и медицинской диагностике.

Исследователи из компании IBM собираются уменьшить размер транзисторов в два раза.

«Графеновый бум» стартовал в 2004 году с выходом статьи Константина Новоселова и Андрея Гейма. На сегодняшний день графену посвящено более 10 тыс. публикаций и более тысячи патентов.

Исследователи из Висконсинского университета в Мэдисоне разработали первые транзисторы на углеродных нанотрубках, которые оказались намного эффективнее, чем лучшие кремниевые транзисторы, представленные на рынке.

Физики из Кембриджского университета разработали поляритонный переключатель, позволяющий управлять спином конденсата Бозе — Эйнштейна в рамках создания более производительных и компактных транзисторов. Об этом пишет Nature Materials.

Американские физики создали на базе титаната стронция и титаната неодима высокопроводящий материал, который может использоваться в силовых транзисторах. Результаты исследования опубликованы в APL Materials.

Американские инженеры разработали технологию изготовления полевых транзисторов модифицированным методом FinFET с заключением полупроводника в строго вертикальной гладкой оболочке. Результаты исследования опубликованы в журнале Electron Device Letters.

Ученые из Гарвардского университета (США) разработали технологию создания каркасов из наноэлектронных структур для мониторинга сердечной деятельности в постоперационный период. Об этом пишет Nature Nanotechnology.

Коренные изменения в технологическом процессе и отказ от экстенсивной стратегии приведут к задержке выхода новых микропроцессоров Intel.

Чтобы сделать компьютеры быстрее, нужно увеличить скорость транзисторов, крошечных переключателей, которые представляют собой фундаментальные строительные блоки для машин. Хотя обычные кремниевые транзисторы могут выполнять миллиарды операций в секунду, ученые нашли другой материал, который совершает триллионы операций в секунду. Эксперименты могут привести к персональным суперкомпьютерам, которые помещаются на столе. Да-да, не к компьютерам, а именно к...