#электроника будущего

РТУ МИРЭА
175

Ученые из РТУ МИРЭА исследовали тонкие пленки из манганита и проанализировали, как они ведут себя при разных температурах. Главная цель — создать точную математическую модель, которая объяснит, как меняются их магнитные и оптические свойства при нагревании или охлаждении. Это важно для разработки новых материалов, которые сделают электронику компактнее, мощнее и надежнее.

РТУ МИРЭА
227

Передовая инженерная школа СВЧ-электроники РТУ МИРЭА разрабатывает технологию обработки алмазов для электроники. Ученые исследуют обработку алмазных пластин. Их разработка открывает новые возможности для создания сверхточных микроволновых устройств и высокотехнологичной электроники.

ФизТех
5,1 тыс

Российские ученые совместно с коллегами из Международного физического центра Доностии (DIPC) совершили значительный прорыв в области материалов с топологическими свойствами. Им удалось создать новый гибридный материал на основе бислоя висмута и семейства материалов MnBi₂Te₄, который обладает уникальными электронными и магнитными свойствами.

РНФ
505

Российские ученые получили металлорганические соединения с переключаемыми магнитными свойствами. Входящие в их состав ионы металлов способны обратимо менять спиновое состояние в ответ на внешние воздействия, а следовательно, кодировать один бит информации в одной молекуле. Технология поможет в разработке устройств памяти с большей емкостью, а также еще на один шаг приблизит исследователей к созданию полноценного квантового компьютера из молекулярных материалов.

СПбГЭТУ «ЛЭТИ»
8,2 тыс

Исследователи СПбГЭТУ «ЛЭТИ» выступили участниками фундаментального научного обзора о результатах и перспективах развития на ближайшее десятилетие магноники — актуального сегодня раздела физики, который может быть использован при создании более энергоэффективных и быстродействующих видов вычислительных устройств.

ФизТех
5,6 тыс

Ученые из МФТИ изучили новые свойства одного из самых популярных в мире материалов для производства магнитов. Оказалось, что его можно применять в электронике нового поколения — терагерцовых приборах.

Сколтех
1,8 тыс

Исследователи Сколтеха и их коллеги из США и Сингапура создали нейронную сеть, с помощью которой можно настраивать свойства полупроводниковых кристаллов и получать компоненты для электроники с непревзойденными характеристиками. Эта работа открывает новое направление в разработке микросхем и солнечных элементов следующего поколения за счет использования контролируемой деформации, с помощью которой можно буквально «на лету» менять свойства материала.

ДВФУ
2,5 тыс

Ученые ДВФУ совместно с коллегами из России, Южной Кореи и Австралии предложили инновационный метод управления спин-электронными свойствами и функциональностью тонкопленочных магнитных наносистем. Открытие важно для создания нового поколения миниатюрной электроники (спин-орбитроники) и сверхбыстрой высокоемкой компьютерной памяти.

СФУ
4,7 тыс

Исследователи Сибирского федерального университета (СФУ) совместно с украинскими и шведскими коллегами предложили новый класс наноструктур на основе тетратио- и тетраселено[8]циркуленов – плоских гетероциклических молекул. Материалы имеют гибко варьируемые полупроводниковые свойства и могут использоваться для производства органических светодиодов.