Самые маленькие и современные чипы сегодня состоят из транзисторов размером около 10 нм (одна стомиллионная часть метра). Однако компания IBM обнародовала планы по сокращению размеров транзисторов вдвое. Чтобы создать 5-нанометровые чипы, компания откажется от стандартной архитектуры построения чипов FinFET, используемой в данный момент, в пользу новой структуры, которая будет строиться из наборов по четыре наносети, позволяя упаковать около 30 миллиардов транзисторов на чип размером с ноготь. Это позволит добиться значительного роста вычислительной мощности и эффективности.
В 1970-х годах был скорректирован закон Мура, согласно которому число транзисторов на одном чипе должно удваиваться каждые два года. С тех пор эта тенденция сохранялась, однако временные рамки удвоения числа транзисторов на чипе в последние годы несколько увеличились. В потребительской электронике сейчас чаще всего используются 14-нм чипы, а такие компании, как Intel и Samsung, смогли достичь 10-нм технологии.
Однако прогресс не стоит на месте, и в 2015 году IBM представила 7-нм тестовый чип, разработанный совместно с GlobalFoundries и Samsung. Этот прототип включал около 20 миллиардов транзисторов на одном чипе размером с ноготь. Ожидается, что такие чипы будут развернуты в коммерческом масштабе примерно в 2019 году.
Теперь компания объявила о намерениях сократить размер транзисторов до 5 нм, что позволит разместить дополнительные 10 миллиардов транзисторов на чипе того же размера. Это достигается за счет новой архитектуры, созданной с использованием процесса фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), который заключается в нанесении рисунка на кремниевой пластине с использованием высокоэнергичной волны света. Это означает, что на чипе могут быть созданы более тонкие детали и, в отличие от существующих литографических процессов, мощность и производительность чипов могут регулироваться непрерывно во время изготовления.
Concept
Михаил Ромкин
