IBM разместит 30 миллиардов транзисторов на чипе размером с ноготь

Исследователи из компании IBM собираются уменьшить размер транзисторов в два раза.

4 988
Выбор редакции

Самые маленькие и современные чипы сегодня состоят из транзисторов размером около 10 нм (одна стомиллионная часть метра). Однако компания IBM обнародовала планы по сокращению размеров транзисторов вдвое. Чтобы создать 5-нанометровые чипы, компания откажется от стандартной архитектуры построения чипов FinFET, используемой в данный момент, в пользу новой структуры, которая будет строиться из наборов по четыре наносети, позволяя упаковать около 30 миллиардов транзисторов на чип размером с ноготь. Это позволит добиться значительного роста вычислительной мощности и эффективности.

 

В 1970-х годах был скорректирован закон Мура, согласно которому число транзисторов на одном чипе должно удваиваться каждые два года. С тех пор эта тенденция сохранялась, однако временные рамки удвоения числа транзисторов на чипе в последние годы несколько увеличились. В потребительской электронике сейчас чаще всего используются 14-нм чипы, а такие компании, как Intel и Samsung, смогли достичь 10-нм технологии.

 

Однако прогресс не стоит на месте, и в 2015 году IBM представила 7-нм тестовый чип, разработанный совместно с GlobalFoundries и Samsung. Этот прототип включал около 20 миллиардов транзисторов на одном чипе размером с ноготь.  Ожидается, что такие чипы будут развернуты в коммерческом масштабе примерно в 2019 году.

 

Структура транзисторов, созданных по новой архитектуре / ©<span style=font-size: 10pt; line-height: 107%; font-family: Calibri, sans-serif; color: black; background-image: initial; background-position: initial; background-size: initial; background-repeat: initial; background-attachment: initial; background-origin: initial; background-clip: initial;>www-03.ibm.com</span>

Структура транзисторов, созданных по новой архитектуре / ©www-03.ibm.com

 

Теперь компания объявила о намерениях сократить размер транзисторов до 5 нм, что позволит разместить дополнительные 10 миллиардов транзисторов на чипе того же размера. Это достигается за счет новой архитектуры, созданной с использованием процесса фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV), который заключается в нанесении рисунка на кремниевой пластине с использованием высокоэнергичной волны света. Это означает, что на чипе могут быть созданы более тонкие детали и, в отличие от существующих литографических процессов, мощность и производительность чипов могут регулироваться непрерывно во время изготовления.

Concept

Naked Science Facebook VK Twitter
4 988

Комментарии
Аватар пользователя Дмитрий Танцюра
4 ч
А кто решил , что он там ружен ?
Аватар пользователя Станислав Крытыш
17 авг
Да, всё вы правильно пишите, но представьте если...
Аватар пользователя Илья Аксенов
17 авг
Наш энергетический мир – это один из уровней...
Комментарии

Быстрый вход

или зарегистрируйтесь, чтобы отправлять комментарии
Вы сообщаете об ошибке в следующем тексте:
Нажмите Отправить ошибку