Архивы полупроводник — Naked Science

#полупроводник

20 февраля
5 минут
Редакция

Команда исследователей из Тель-Авивского университета разработала новый способ наблюдения за распространением экситонных поляритонов в полупроводниках.

17.04.2018, 11:51
5 минут
Редакция

Корейские ученые вычислили структуру кремния, обладающую сверхпроводящими свойствами и устойчивую при обычных давлении и температуре

14.04.2018, 07:37
6 минут
Редакция

Французские исследователи предложили не только смещать один слой двуслойного графена, но и растягивать его относительно второго.

04.08.2017, 18:55
3 минуты
Редакция

Если к сложноустроенной молекуле приложить механическую силу, то можно добиться разрыва части связей и превращения молекулы в проводящую электрический ток.

21.04.2017, 09:41
7 минут
Редакция

Материаловеды из США и Объединенных Арабских Эмиратов (ОАЭ) разработали технологию производства полупроводниковых материалов, которая потенциально позволяет снизить стоимость изготовления электронных устройствах с помощью графена.

08.11.2016, 07:00
4 минуты
Редакция

Американские ученые разработали микроэлектронное устройство, проводимость которого может возрастать под воздействием инфракрасного излучения малой мощности. Результаты исследования представлены в журнале Nature Communications.

22.10.2016, 10:56
3 минуты
Редакция

Американские ученые нашли способ управлять теплопроводностью в двумерном материале. Результаты исследования опубликованы в журнале Nature Communication.

13.09.2016, 04:48
3 минуты
Редакция

Физики из Мюнхенского технического университета открыли первый неорганический полупроводник с винтовой атомной структурой. Об этом сообщается на сайте учреждения.

27.07.2016, 05:02
4 минуты

Американские инженеры разработали технологию изготовления полевых транзисторов модифицированным методом FinFET с заключением полупроводника в строго вертикальной гладкой оболочке. Результаты исследования опубликованы в журнале Electron Device Letters.

27.07.2016, 05:02
4 минуты
Редакция

FinFET — технология производства транзисторов путем бомбардировки полупроводниковой пластины высокоэнергетическими ионами. Результатом FinFET является трехмерное устройство с заключенными в вертикальную оболочку полупроводниками — так называемыми «плавниками». Методика является альтернативой вырезанию матриц из утолщенных пластин и послойной укладке полупроводников и потенциально позволяет повысить производительность вычислительных машин.   Применение FinFET ограничено несовершенством создаваемых на чипе «плавников». Относительно...

Подтвердить?
Лучшие материалы
Войти
Регистрируясь, вы соглашаетесь с правилами использования сайта и даете согласие на обработку персональных данных.