#микроэлектроника

Диоксид ванадия «помнит» фазовый переход как минимум несколько часов после его совершения. Это делает его перспективным для очередной революции в микроэлектронике.

Слушатели узнают о том как технологии микроэлектроники используются для разработки биосенсоров, совершающих революцию в биологических и медицинских исследованиях.

Разработка ученых НИИ химии Университета Лобачевского, Института металлорганической химии РАН имени Г. А. Разуваева, Российского химико-технологического университета (РХТУ) имени Д. И. Менделеева позволяет создавать высокоэффективные катализаторы для синтеза ключевого компонента современной микроэлектроники — моносилана — предшественника полупроводникового «электронного» кремния.

По мнению главы «Роскосмоса», именно тема спутникостроения в России остается «одной из самых тревожных» и в то же время важных.

Научная группа, в которую вошли специалисты ЛЭТИ, обнаружила новые свойства боросиликатных пленок, которые, в частности, используются для создания высокоэффективных транзисторов, применяемых в современной микроэлектронике.

Западные страны могут блокировать значительную часть валютных резервов Центробанка в надежде опрокинуть этим рубль. Крайне серьезные ограничения коснутся и электроники с самолетами. Но самые серьезные последствия происходящего лежат в возможной полной дестабилизации мировой экономики в случае чрезмерной ответной реакции России. Разбираемся в деталях.

Ученые НИФТИ ННГУ совместно с учеными из Красноярского Института Физики имени Л. В. Киренского СО РАН и Сибирского федерального университета продемонстрировали, что ионная имплантация полупроводниковых материалов может быть эффективной без последующего отжига. Результат исследования открывает новые технологические возможности для современной микроэлектроники.

Ученым ННГУ удалось повысить интенсивность светоизлучающих свойств кремния за счет оптимизации синтеза гексагональной фазы 9R-Si.

Ученые Сколтеха и их коллеги из Института физики микроструктур РАН, Нижегородского государственного университета имени Н. И. Лобачевского, Университета ИТМО, МГУ имени М. В. Ломоносова и Института общей физики имени А. М. Прохорова РАН придумали способ увеличить яркость фотолюминесценции в кремнии, основном материале современной электроники, несмотря на то, что он, к сожалению, плохо справляется с задачами излучения и поглощения фотонов. Новое открытие ученых может быть использовано для создания более эффективных фотонных интегральных схем.

Группа ученых, в которую вошли сотрудники Университета ИТМО, Института физики микроструктур РАН, Сколтеха, Института общей физики РАН, и МГУ, в сто раз усилила свечение квантовых точек на кремниевой подложке. Такие структуры применяются в микроэлектронике для обработки электронных сигналов. Технологию можно будет использовать для создания чипов нового поколения — способных быстро передавать информацию из компьютера в оптоволоконную сеть.