#оптоэлектроника

Международный коллектив ученых, куда вошли специалисты МФТИ, исследовал оптические свойства двумерных кристаллов дисульфида рения (ReS2) в зависимости от расположения и количества атомарных слоев в материале.

О развитии отечественного приборостроения и перспективах российской микроэлектроники мы поговорили с Виктором Ивановым, член-корреспондентом РАН, директором Института квантовых технологий МФТИ

Коллектив российских ученых, куда вошли специалисты МФТИ, синтезировал ферромагнитные пленки переменного состава из палладия и железа с помощью метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Им удалось обнаружить возможность управлять с помощью них спектром спиновых волн.

Исследователи НИЯУ МИФИ в составе международного научного коллектива впервые синтезировали станнат стронция, легированный атомами лантана, рутения и индия и определили его электронные, магнитные и оптические характеристики. Новый материал может найти применение в оптоэлектронике, в устройствах памяти и спинтронике.

Физики СПбГУ совместно с коллегами из других научно-образовательных организаций Петербурга, изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. Исследование поможет разработке нового поколения непланарных оптоэлектронных устройств в области электроники и связи.

Физики из МФТИ изучили оптические свойства нитрида бора (незаменимого компонента для двумерных материалов) и обнаружили, что он обладает рекордным показателем преломления в ультрафиолетовом свете. Это значит, что материал может стать основой разработок в области нанофотоники, в частности заменить электронные компоненты в интегральных схемах компьютеров. Для демонстрации практического применения нитрида бора ученые сконструировали нанометровый волновод, показавший высокую эффективность.

Ученые МФТИ создали детектор терагерцового излучения на основе двухслойного графена, обладающий рекордной чувствительностью при криогенных температурах. Представленное устройство уже конкурентоспособно по сравнению с коммерческими болометрами на полупроводниках и сверхпроводниках. Ключом к успеху явилось использование двухслойного графена с небольшой шириной запрещенной зоны — этот материал оказался «золотой серединой» между однослойным графеном и классическими объемными полупроводниками.

Сотрудники института водородной энергетики УрФУ и Института высокотемпературной электрохимии УрО РАН создали перспективный материал для устройств водородной энергетики — топливных элементов и электролизеров. Новый материал обладает высокой протонной проводимостью и необычными свойствами (зависят от степени допирования), благодаря которым его можно использовать в качестве электролита (при высоком уровне допирования) и электрода (при низких уровнях допирования) в твердооксидных топливных элементах и электролизерах.

Исследователи из СПбГЭТУ «ЛЭТИ» разработали защитные покрытия на основе углеродных нанотрубок, которые упрочнят элементы оптоэлектроники и защитят их от воздействия внешних факторов.

Ученые Сколтеха и их коллеги из Института физики микроструктур РАН, Нижегородского государственного университета имени Н. И. Лобачевского, Университета ИТМО, МГУ имени М. В. Ломоносова и Института общей физики имени А. М. Прохорова РАН придумали способ увеличить яркость фотолюминесценции в кремнии, основном материале современной электроники, несмотря на то, что он, к сожалению, плохо справляется с задачами излучения и поглощения фотонов. Новое открытие ученых может быть использовано для создания более эффективных фотонных интегральных схем.

Исследователи Сколтеха и их коллеги из Великобритании и Польши предложили фотонное устройство, состоящее из двух оптических резонаторов на жидких кристаллах, и исследовали оптические свойства этой системы, которую в перспективе можно будет применять в оптоэлектронных и спинтронных устройствах следующего поколения.

Ученые из Гонконга научились растягивать алмаз на рекордно большую величину, чтобы деформировать его кристаллическую решетку и придавать материалу новые полезные свойства.

Исследователи Сколтеха и их коллеги разработали две модели, хорошо воспроизводящие светоизлучающие характеристики полупроводниковых нанопластинок (наноплателетов), которые могут стать «строительными блоками» для оптоэлектроники будущего.

Парателлурит активно используют в оптоэлектронике, акустооптике и в качестве компонентов оптических волокон инфракрасного диапазона. Но сейчас промышленным методом получают парателлурит с химической чистотой, которая ограничивает его применимость. Химики из РХТУ имени Д. И. Менделеева предложили новый метод синтеза парателлурита с помощью сжигания паров теллура в сухом кислороде. Они сконструировали установку для проведения синтеза и оптимизировали его условия, после чего массовая доля примесей в парателлурите снизилось до 0,000006 процента, что на порядок меньше аналогичной величины для промышленного способа (0,0001 процент). Кроме того, ученые установили закономерности, которые будут полезны для оптимизации производства, а также использованы в дальнейших разработках в области технологий оптоэлектроники и фотоники.

Российские материаловеды разработали инновационные покрытия на основе углеродных нанотрубок, которые будут применяться для оптимизации оптоэлектронных устройств, в том числе лазеров, элементов преобразователей инфракрасного излучения и жидкокристаллических дисплеев, а также для защитных покрытий.

Команда ученых из Лаборатории гибридной фотоники Сколковского института науки и технологий (Сколтех) и Университета Шеффилда (Великобритания) совершила прорыв в понимании явлений сильного взаимодействия света с органическими молекулами. Принципы сильной связи открывают уникальные возможности для полностью оптической обработки информации в обход потерям скорости и энергии сигналов при преобразовании в ток.

Международная группа ученых во главе с исследователями из Лаборатории наноматериалов Центра фотоники и квантовых материалов (CPQM) Сколтеха разработала новый гибкий прозрачный электрический проводник на основе однослойных углеродных нанотрубок, который по своим характеристикам превзошел имеющиеся мировые аналоги. Этот материал открывает новые возможности для его применения в оптоэлектронике и энергетике.