Группа ученых из Гонконгского университета науки и техники разработала технологию, позволяющую генерировать крошечные лазеры на поверхности кремния для создания сверхбыстрых микропроцессоров. Открытие может совершить революцию в полупроводниковой промышленности и коснуться других отраслей.
Решить проблему дефективности кристаллической решетки кремния, не позволяющей сочетать ее с применением лазеров, исследователям удалось благодаря подложке из арсенида галлия (GaAs). В ней были сформированы субволновые полости, в которых расположилась батарея лазерных пучков диаметром 1 мк каждый. Последние осуществляли «перекачку» электронов в атомах вместо электрического тока.
Лазеры, используемые в экспериментах гонконгских специалистов, в тысячу раз короче и в миллион раз меньше, чем традиционные. Таким образом, ученые создали микрочип, плотно усеянный светоизлучающими элементами.
«Размещение лазеров на микропроцессорах повышает их мощность, позволяя работать на более низком уровне потребления энергии. Это значительный рывок навстречу к фотон- и электрон-интегрированным кремниевым платформам», — заявил профессор Кей Мэй Лау.
Технология, по его словам, подходит для сверхскоростной передачи данных. В частности, она может применяться в волоконно-оптической коммуникации и химическом зондировании. Первые прототипы таких устройств, как ожидается, появятся на рынке в течение ближайших десяти лет.
