Ученые предложили новый способ существенного увеличения флеш-памяти.
©Wikipedia
Испанскими и британскими учеными были предложены новые устройства для хранения памяти, в основе которых лежат кластеры наноразмерных полиоксометаллатов. Разработчики проекта предлагают модифицировать оксидный слой используемой в полупроводниках флэш-памяти МОП-структуры и добавить кластеры полиоксометаллатов.
Последние представляют собой группу металлооксидных соединений кластерного типа со сложной геометрией. Благодаря низкой чувствительности полиоксометаллатов к присутствию окислителей, их часто используют в качестве катализаторов. В отличие от ранее используемых в МОП-структуре добавок, окислительные возможности полиоксометаллтов позволят существенно увеличить объемы хранимой информации.
Ученым уже удалось добиться в своей работе успешного встраивания полиоксометаллатов в оксидный слой. Стоит отметить, что МОТ-структура используется при производстве различных полупроводниковых приборов, и ее название является аббревиатурой и расшифровывается как «металл-оксид-полупроводник».
