Одна из самых популярных версий связывает аномально высокую температуру солнечной короны с множеством мелких «нановспышек», на существование которых указали «наноджеты», замеченные в одном из протуберанцев.
Термодинамика и простая логика подсказывают, что чем дальше от источника тепла, тем холоднее, однако на Солнце все обстоит ровно наоборот. Внешние слои его атмосферы раскалены до колоссальных одного-двух миллионов градусов, тогда как температура на глубине составляет лишь около 5500 градусов Цельсия. Загадка разогрева солнечной короны остается нерешенной до сих пор, хотя в последнее время появляется все больше свидетельств в пользу одной из известных гипотез.
Она связывает нагрев короны с действием множества «нановспышек» — небольших и коротких, однако весьма многочисленных. Они в миллионы раз слабее обычных вспышек на Солнце, и рассмотреть их на весьма ярком и бурном фоне звезды практически невозможно. Едва ли не единственным свидетельством существования «нановспышек» служат наблюдения, проведенные в 2013 году. Однако в новой статье, опубликованной в журнале Nature Astronomy, приводятся новые свидетельства, которые могут подтвердить существование «нановспышек».
Дело в том, что они возникают в ходе взрывных пересоединений силовых линий магнитного поля Солнца. Одно пересоединение следует за другим, вызывая целую лавину «нановспышек». При этом возникают краткие и мощные потоки плазмы, «наноджеты», движущиеся в направлении, перпендикулярном основным потокам, идущим вдоль мощных силовых линий. Именно такие «наноджеты» ученым удалось обнаружить в данных спектрографа IRIS, установленного на борту «солнечной» миссии NASA SDO.
Третьего апреля 2014 года инструмент проследил за большим плазменным протуберанцем, который был поднят магнитным полем над солнечной короной и, охладившись, снова рухнул на поверхность. Внимательно рассмотрев этот поток, ученые заметили в нем яркий и короткий выброс, направленный в сторону. По словам исследователей, такой «наноджет» прямо указывает на работу «нановспышек», что удалось подтвердить и с помощью компьютерного моделирования.