Манганиты — это оксиды марганца с добавлением других металлов, например, лантана и бария. Они интересны тем, что могут менять свои свойства под действием температуры, магнитного поля или электрического тока, что делает их перспективными для использования в электронике.
Использование манганитов позволит разрабатывать устройства с улучшенными характеристиками: повышенной скоростью работы, компактными размерами и сниженным энергопотреблением. Особый интерес представляют потенциальные применения в области квантовых технологий и высокочувствительной сенсорики.
«Моя работа направлена на создание новых материалов для микроэлектроники, которые смогут преодолеть существующие ограничения современных технологий», — отмечает руководитель проекта, преподаватель кафедры наноэлектроники РТУ МИРЭА Татьяна Бахвалова.
В легированных манганитах La0.67Ba0.33MnO3, в рамках единой эмпирической модели удалось учесть высокотемпературную и низкотемпературную части магнитосопротивления (МС). Простая линейная модель, учитывающая критическую температуру и характерные величины колоссального и туннельного МС, позволяет хорошо описать экспериментальные данные как для пленок с вариантной структурой, так и без нее. Такую модель можно применить к объяснению температурных особенностей магнитосопротивления широкого класса манганитов других составов.
Предложенный эмпирический подход может быть использован для моделирования процессов спинового транспорта, в том числе на оптических частотах в виде магниторефрактивного эффекта, в сильно-коррелированных магниторезистивных магнетиках.
Результаты исследования представлены на Международной научно-технической конференции «Оптические технологии, материалы и системы» («Оптотех-2024»). Проект получил грантовую поддержку на «Акселераторе РТУ МИРЭА».