В РТУ МИРЭА проанализировали магнитные наноструктуры, используя магниторефрактивный эффект. Этот метод позволяет исследовать свойства материалов, не разрушая их, что особенно важно для микроэлектроники и нанотехнологий. При этом новый метод позволяет не только анализировать уже созданные материалы, но и заранее проектировать новые — с нужными свойствами.
В РТУ МИРЭА предложили новый способ проверки микроэлектроники с помощью магниторефрактивного эффекта / © Мэтт Бритт, en.wikipedia.org
Производители материалов не всегда могут создать идеальные образцы. Иногда свойства материала на практике отличаются от ожидаемых. С помощью программы, разработанной в РТУ МИРЭА, можно рассчитать, что происходит внутри материала, и объяснить, почему эксперимент дал такие результаты. Это помогает производителям понять, что нужно улучшить.
Также существует огромное количество материалов и их комбинаций, и каждый раз создавать их вручную — долго и дорого. Ученые предлагают сначала рассчитать свойства материала на компьютере, а уже потом изготавливать его. Это экономит время и ресурсы, так как проще посчитать, чем делать множество пробных образцов.
Суть теоретической основы метода заключается в применении МРЭ для измерения магнитосопротивления — ключевого параметра для создания современных электронных устройств. Студенты исследовали, как размер, форма и концентрация наночастиц влияют на оптические и магнитооптические свойства материалов. Это особенно важно для разработки новых материалов с улучшенными характеристиками, которые могут использоваться в микроэлектронике, датчиках и других высокотехнологичных устройствах.
«Магниторефрактивный эффект — это инструмент, который позволяет изучать материалы без прямого контакта с ними. Наша работа открывает новые возможности для контроля качества наноструктур и поиска материалов с усиленными магнитооптическими свойствами», — подчеркивает Марина Симдянова, ассистент Института перспективных технологий и индустриального программирования РТУ МИРЭА.
Актуальность проекта связана с растущими требованиями к точности и миниатюризации в микроэлектронике. Традиционные методы анализа часто требуют разрушения образцов, что делает их менее эффективными. МРЭ, напротив, позволяет проводить измерения без повреждения материалов, что особенно важно при работе с дорогостоящими наноструктурами.
В рамках проекта студенты использовали компьютерное моделирование для анализа магнитооптических спектров и сравнения результатов с экспериментальными данными. Это позволило им разработать теоретическую базу для дальнейших исследований и применения МРЭ в промышленности.
Проект был представлен на «Акселераторе 5.0 РТУ МИРЭА» и удостоен гранта на дальнейшее развитие. О результатах рассказали в сборнике научно-технической конференции «Оптические технологии, материалы и системы» («Оптотех-2024»).
