Новый высокопроводящий материал создали из двух изоляторов

Американские физики создали на базе титаната стронция и титаната неодима высокопроводящий материал, который может использоваться в силовых транзисторах. Результаты исследования опубликованы в APL Materials.

2 727
Выбор редакции

Ученые проанализировали движение частиц в двумерном электронном газе (ДЭГ), который был создан на границе двух изоляторов — титаната стронция (STO) и титаната неодима (NTO) — со сверхвысокой плотностью электронов. Терагерцовая спектроскопия показала, что при плотности электронов около 1015 на квадратный сантиметр общий уровень проводимости материалов в 3–6 раз превысил показатель, характерный для кремния. Замеры осуществлялись при комнатной температуре.

 

По словам исследователей, сочетание STO и NTO может применяться в качестве источника питания силовых транзисторов. В настоящее время эту роль выполняет нитрид галлия (GaN), отличительной чертой которого, помимо высокой проводимости и большой ширины запрещенной зоны, является устойчивость к экстремальным температурам и напряжению. Тем не менее, материал на основе STO/NTO обладает ресурсом для дальнейшего совершенствования, и способен заменить GaN в транзисторах, считают авторы.

 

«Когда я представляю будущее, то вижу, что мы в состоянии более радикально повышать проводимость за счет оптимизации материалов. Мы можем сделать производительную, энергоэффективную электронику реальной», — сообщил соавтор работы Бхарат Джалан.

 

Он также добавил, что источники питания на базе модифицированных STO/NTO будут занимать меньше пространства. В качестве примера ученый привел блоки питания на шнурах ноутбуков, необходимость в которых устранят компактные элементы. Кроме того, транзисторы повышенной мощности, как ожидается, будут более устойчивы к перегреву за счет отсутствия избыточного расходования энергии.

2 727

Комментарии

Быстрый вход

или зарегистрируйтесь, чтобы отправлять комментарии
Вы сообщаете об ошибке в следующем тексте:
Нажмите Отправить ошибку