Ученые Сколтеха разработали новые полупроводниковые материалы для электроники

Группа исследователей, в которую вошли ученые Сколтеха, создала перспективные бессвинцовые полупроводниковые материалы для использования в солнечных батареях на основе комплексных галогенидов сурьмы и висмута.

3 902

Выбор редакции

Сотрудничество исследователей из Сколтеха, Института неорганической химии имени А. В. Николаева СО РАН и Института проблем химической физики РАН позволило создать перспективные бессвинцовые полупроводниковые материалы для использования в солнечных батареях на основе комплексных галогенидов сурьмы и висмута.

 

Результаты исследования были опубликованы в журнале Journal of Materials Chemistry и аннонсированы на его обложке.

 

Солнечные батареи на основе комплексных галогенидов свинца с перовскитной структурой (кристаллической структурой, напоминающей структуру минерала перовскита) привлекают огромный интерес благодаря своей низкой стоимости, простоте изготовления и высокой эффективности преобразования света (достигнуты к.п.д. > 24%).

 

Массовое производство и внедрение таких батарей ограничивается двумя факторами: низкой стабильностью комплексных галогенидов свинца и токсичностью этих соединений. Поэтому во всем мире активно ведется разработка альтернативных бессвинцовых фотоактивных материалов, в частности на основе галогенидов висмута и сурьмы.

 

Однако пока такие солнечные батареи демонстрируют низкие эффективности преобразования света, что свидетельствует о неэффективной генерации носителей заряда в фотоактивном слое или затрудненном их транспорте к электродам.

 

Командой исследователей из Сколтеха, Института неорганической химии имени А. В. Николаева СО РАН (ИНХ СО РАН) и Института проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН) было показано, что причиной является неоптимальное строение соединений висмута и сурьмы.

 

«Мы выяснили, что низкая размерность анионной решетки таких соединений (нулевая, иногда — 1D, крайне редко — 2D) не позволяет реализовать беспрепятственный транспорт дырок и электронов, необходимый для эффективной работы солнечных элементов.

 

В результате материалы этого класса могут демонстрировать эффективную работу в латеральных фотодетекторах, но не работают в солнечных элементах», — рассказывает профессор Центра энергетических исследований Сколтеха Павел Трошин.

 

Ранее эта же команда ученых предложила увеличить размерность анионных решеток в комплексах Sb и Bi путем введения специальных линкерных молекул — например, молекулярного йода.

 

Этот путь был описан в журнале Chemistry: A European Journal. Использование этого подхода позволило ученым создать новые полупроводниковые материалы на основе комплексных галогенидов висмута и сурьмы с йодом, которые активно изучаются сейчас во всем мире.

 

Этим же коллективом ученых был разработан принципиально новый материал для солнечных батарей на основе перовскитоподобного комплексного бромида сурьмы ASbBr6 (где А является органическим, положительно заряженным ионом). Солнечные батареи на основе ASbBr6 показали рекордные для галогенидов сурьмы и висмута к.п.д. преобразования света.

 

Результаты этой работы были опубликованы в журнале Advanced Energy Materials. По словам руководителя проекта Павла Трошина, именно эта работа стала прорывной в их исследованиях и открывает принципиально новые возможности для развития перовскитной электроники.

Naked Science Facebook VK Twitter
Сколтех
52Статьи
Негосударственный технологический университет, расположенный в инновационном центре Сколково. Институт был создан в 2011 году при поддержке Массачусетского технологического института.
3 902
Комментарии
Аватар пользователя Илья Ведмеденко
10 ч
Horten Ho IX вы имеете в виду, наверно. Да, у них...
Аватар пользователя Павел Калинников
10 ч
выглядит как прототип немецких самолетов...
Вчера
1 мин

Дык особого секрета нет. в 2018...

Колумнисты

Физтех
131Статья
Сколтех
52Статьи
Discovery Channel
37Статей
ТюмГУ
19Статей
СФУ
12Статей
Комментарии

Быстрый вход

Или авторизуйтесь с помощью:

на сайте, чтобы оставить комментарий.
Вы сообщаете об ошибке в следующем тексте:
Нажмите Отправить ошибку